Пока писал, забыл уже зачем. Ну да не важно, если выложил результаты, то стоит, упомянут и о том, с чем стоит разбираться.
Сейчас можно наблюдать формирование структур, которые соответствует событиям, связанным с внешним воздействием. Для более полного понимания ситуации, очень показательным будет пример камня. Под воздействием, перепада температур, в монолитной структуре камня сформируется трещина, а каждое повторение воздействия будет эту трещину развивать.
И в Искине, и в камне, будет накапливается информация, но прямого доступа к этой информации нет. А если к информации нет доступа, то и воспользоваться такой информацией нельзя. Но, о внешних воздействиях можно делать вывод по косвенным признакам, связанным с изменениями в структуре.
В ситуации, с одним слоем сенсоров и одним слоем нейронов, косвенным признаком внешнего воздействия будет активность нейронов первого слоя. То есть активные нейроны нам сообщают о воздействии, а мы должны по этой активности представить какой должна быть активность сенсоров.
Для этого, для каждого слоя сенсоров и нейронов, создаём по дополнительному слою нейронов. Теперь будем считать, что каждый нейрон или сенсор состоит из двух частей, одна часть принадлежит основному слою – вторая дополнительному. Это будет выражаться в том, что нейрон или сенсор, активный на основном слое будет активен и на дополнительном.
И теперь, опираясь на активность нейронов мы строим связи от слоя нейронов к предыдущему слою сенсоров, используя всё те же правила формирования связей, что и для основного слоя. То есть сигнал в дополнительном слое распространяются в обратном направлении.
Таким образом информация, хранящаяся в памяти оказывается представлена в дополнительном слое сенсоров в том виде в котором и поступала.
Если кому надо, всё целиком
здесь, все выкладки от и до.
Всё выкладывалось кусками ранее, и то что вызывало у меня сомнения в ходе обсуждения, изменялось. К сожалению, не всё вызвало интерес у форумчан, поэтому и не всё обсуждалось.